GaN 專利戰爭的真正戰場不在良率，在獨立項的那幾行字

跨國戰線早在中國裁定之前就已開打並陸續告捷：慕尼黑第一地方法院 2025 年 8 月首判 Innoscience 侵權成立，其後於 2026 年 6 月、7 月初再下兩城，累計認定侵害三件專利與一件實用新型；美國 ITC 於 2026 年 5 月 7 日作成終裁。

中國戰線在後：據公開報導，蘇州市中級人民法院 5 月 27 日認定 Infineon 特定 GaN 產品侵權，命停止銷售並賠償人民幣 1,000 萬元；另有報導指出，最高人民法院 6 月中旬維持的是具臨時救濟性質的禁令，並非實體終局判決——裁判原文與案號未見公開，最高法維持的確切範圍（禁令、賠償或兩者）目前無法確認。

中國受挫前後的六、七月間，慕尼黑再度判侵權成立，ITC 的排除令也走完總統審查期正式生效。還有一個細節：據 Innoscience 對終裁的公開說明，救濟所及僅其已停產的舊款產品，改版後的現售品被認定不侵權——排除令的「面」有多大，最後還是回到 claim 的那幾個字。

技術層：可歸因、可讀取、難迴避的特徵，集中在三個部位

時序擺正之後，這篇要談的是進攻方怎麼讀這一局：答案不在勝負欄，在獨立項的那幾個字——禁令拿不拿得到、royalty base 圈到多大，都懸在上面。良率與產能決定你出多少貨；對方要不要付授權金、付多少，看的是 claim 讀不讀得到、擋不擋得住無效——那是另一本帳。以下分三層。

一顆橫向 GaN-on-Si 功率 HEMT，攤開來看，真正能被寫成「可歸因、可讀取、難迴避」請求項特徵的，集中在三個部位：

1. 閘極結構（gate）。e-mode 的實現路線公開上大致分為 p-GaN gate、recessed/凹槽閘、以及 MIS/絕緣閘等家族。這一層是兵家必爭，因為它同時滿足三個條件：(a) 逆向工程看得到——逐層剝離（delayer）或 FIB 截面配 SEM/TEM，幾何就攤在那裡；(b) 直接綁定一個效能主張（threshold voltage、gate leakage、閘極可靠度）；(c) 迴避成本高——換閘極家族幾乎等於換製程。

2. 緩衝層／back-barrier（buffer）。carbon-doped buffer、back-barrier（如 AlGaN back-barrier）這類特徵，經典地綁定 dynamic Rdson / current collapse（電流崩陷）這個 GaN 最痛的可靠度指標。對進攻方而言，這是最漂亮的一類特徵：它不是功能性泛稱，而是能在磊晶結構與二次離子質譜（SIMS）剖面上留下指紋的物理事實。

3. 隔離結構（isolation）。mesa 蝕刻隔離 vs 離子佈植隔離，是可與佈局對位、再以物理或電性分析確認、且與漏電/崩潰電壓掛勾的特徵。

進攻方的第一個 issue-spotting 動作，不是問「這件專利強不強」，而是看對手主張的每一條 claim 裡，關鍵限制是怎麼下的：純結構限定（特定摻雜剖面、閘極幾何、隔離方式——特徵本身就是一個拍得到的實體），還是帶功能性限定（functional language）。

功能性限定又有光譜。偏過程的寫法，鎖的是實現功能的動作與手段——怎麼摻、怎麼長、怎麼佈——範圍跟著那條實現路徑走。偏結果的寫法，用達成的效果反過來圈住所有可能的實現方式——例如「配置以將動態導通電阻劣化壓制在某門檻內」——誰達標，誰就在圈內。這是光譜上最大膽的一端。

這些下法沒有天然優劣，各有各的代價結構。結構限定的取證走剖片——幾何與層次用 SEM/TEM 看、摻雜剖面用 SIMS 量，拍到就是拍到，迴避成本高；代價是範圍主要受所載結構的寬窄拘束。結果限定的取證常常更省——上量測台量效能，該限制的對應性就出來了（其餘限制仍要逐要件比對），不必先打「你的磊晶算不算我的結構」那一仗。

半導體這類以結構為技術主體的專利，實務上也比較少真的踩進 §112(f)——claim 裡多半已載明足夠結構，means-plus-function 的反射性擔憂常常打不中（未載結構的裸功能泛稱依 Williamson 判準與 MPEP 2181 三要件仍可能觸發，但在結構專利裡那是例外不是通則）。結果限定真正要付的代價在別處：圈得越寬，前案越容易讀進來，無效壓力跟著 royalty base 一起漲；量測條件的攻防再開一條戰線——用什麼條件量、門檻怎麼定，被告會在這裡糾纏。

請求項層：同一個詞的寬解與窄解，一榮俱榮、一損俱損

舉一個「緩衝層」型請求項為例（以下為教學用虛構請求項，不對應任何真實專利）。假設獨立項寫的是「一高阻值緩衝層，配置以抑制垂直漏電流」。這個詞有兩種解釋方式：

• 寬解：只要是「半絕緣／高阻抗、且有抑制垂直漏電效果」的緩衝層都算。這時 royalty base 極大——市面上的商用 GaN-on-Si 功率元件普遍有某種高阻緩衝設計。進攻方樂見。但代價是：寬解越多，越容易撞上前案（prior art），被告一個 IPR（inter partes review，僅限以專利或印刷刊物前案為據的 §102/§103 挑戰）或無效程序，就可能把它打回原形。

  
  

• 窄解：若說明書的用語定義、審查歷史的放棄或其他內部證據支持，法院可能把「高阻值緩衝層」綁到實施例的具體條件——例如特定碳摻雜濃度區間、特定位置、或特定磊晶手法。這時侵權讀取瞬間收斂到「只有那種磊晶指紋的元件」才落入範圍，royalty base 從整個產品線塌成一小塊；被告只要證明自家 SIMS 剖面不落在那個區間，字面侵權就大致脫身（均等論另計）。

royalty base 與侵權讀取因此不是兩件事——同一次 claim construction 定其寬窄，榮枯與共。（這裡的 base 指潛在落入範圍的產品與銷售額；正式損害賠償計算另有 apportionment 等獨立戰場，我刻意不展開。）

所以挑請求項的功課，不是挑「看起來最威」的那件，而是挑那件——即使被逼到最窄合理解釋（narrowest defensible construction；攻方自用的壓力測試——假設法院採對權利人最不利但仍站得住的窄解，不是哪個法域的正式解釋標準），其涵蓋範圍仍能讀到對手晶粒剖析後實際存在的結構特徵。這才是能撐過無效攻防、還留得住禁令與授權金的請求項。挑錯了，寬解贏了 base、輸了 validity；窄解保住 validity、卻讀不到對手。